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三相PFC拓扑及其双向运行讨论

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发表于 2025-1-8 07:30:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
在大功率电源应用中,三相PFC整流器必不可少,今天讨论一下三相PFC拓扑方面的问题,三相六开关 PWM 整流器或三相两电平PFC,如图 6所示,它具有非常简单的电路拓扑结构, 所以易于控制,主要特点是它方便双向大功率流控制,并且可以以合理的效率下实现高功率因数,在一些双向功率控制应用中应用广泛。- ]& j! }+ T9 ?( ^2 d

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由于该拓扑是两电平拓扑,也就是说对于一个功率MOSFET来说,它的两端电压只有两种电平,或者是输出电压Vout,或者是0电压,因此它在应用上需要相对高压阻断开关,可以阻断整个直流链路的电压。
- d; a" l" ?- o# N& i例如,在 800V直流母线电压的应用下,需要1200V 额定阻断能力的开关 (SiC. w0 m( }' B$ m1 F/ L/ O
MOSFET)放在功率级,因为开关损耗与工作电压有关,如果工作电压增加,功率损耗,包括开关损耗和导通损耗也会增加,导致温升增加,并且会影响功率级中使用的半导体和无源器件的长期可靠性
/ i. [. S5 l& f7 k,是这种拓扑结构的缺点之一。
* i8 [/ U- n5 i9 e/ d另一个缺点是电路所需的滤波电感体积庞大 ,用它调节输入电流的THD 为一个较低的值。因此,三相六开关的功率密度与其它竞争力强的多电平 PFC 相比,比较低,例如比三相维也纳PFC低。
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三相维也纳PFC整流器,如图7, 于1993 年在维也纳技术大学开发,用于避免在单向整流中发生低频电源电流谐波,仅通过在进入三相二极管电桥的每个相桥臂上,插入可关断功率半导体开关。
+ h( G: D2 R, n8 W' v三相维也纳PFC整流器电源拓扑用于大功率、/ E8 S0 r7 P; \% b: T
三相功率因数校正应用。因其在CCM模式中运行而广受欢迎 ,源于它固有的多电平开关 (三电平)拓扑,同时也是由于功率开关(MOSFET)阻断电压的选择比较低 ,由于开关串接在相电感和输出电压中点之间,实际上它只需要阻断一半的输出直流母线电压,而不是总输出直流电压。3 S- z5 t, ^* m+ w1 E6 w3 @" L
例如,在一个800V 直流母线电压应用,仅需要阻断能力 600V 额定电压的MOSFET(Si或者SiC),这样使用低压功率器件,它减少了功率损耗,最终减少散热冷却要求,这就增加了功率密度,
1 G8 l3 E& F6 s- Z对于高功率应用来说比较有优势。此外,它大约需要的相电感仅为两电平BOOST PFC电路电感的一半。除了电压的多电平特征,还提供更好的THD性能。
7 O( B' p% M( f# h! B这种拓扑结构的唯一缺点是,它仅支持单向模式运行,把来自电网的电力传输到直流输出侧,另外,中点电压的控制复杂度比较高。图 8 所示的三相T型转换器,是一个改进的三相维也纳拓扑,以便获得双向功率传输能力,也是一种两电平PWM 整流器的改进,使其具有三电平特征,以便在逆变模式下减少谐波。& S0 H% Y& G; e. w$ l
对于 800V 直流母线电压而言,每个相上半桥高边和低边通常采用1200V阻断全电压的 IGBT或者SiC MOSFET来实现。不同的是,串到直流母线中点的双向开关只需阻断一半的直流母线电压即可,因此,它可以用具有较低耐压的功率器件来实现,如两个额定值600V左右的IGBT(包括反并联二极管)或者SiC MOSFET。由于阻断电压降低,中点开关显示出非常低的开关损耗和可接受的导通损耗。3 e  H9 _) b+ o- E' o8 p

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/ W+ t7 U5 V9 j1 G4 {/ H+ c总的来说,为了设计一个高功率密度的大功率电源 ,单相拓扑并不是好的选择,因此,必然选择的是三相拓扑,并基于上面的讨论,如果PFC整流器不需要提供双向功率流,三相维也纳PFC在效率、功率因数和功率密度方面表现出色,当需要双向功率控制时,如V2G 或V2V,可以通过上述三电平T型拓扑实现。: h0 E' e8 l: z4 h  `

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                                                                                        6kW大功率逆变器pcb设计之变压器部分layout注意事项及技巧
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