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三相PFC拓扑及其双向运行讨论

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发表于 2025-1-8 07:30:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
在大功率电源应用中,三相PFC整流器必不可少,今天讨论一下三相PFC拓扑方面的问题,三相六开关 PWM 整流器或三相两电平PFC,如图 6所示,它具有非常简单的电路拓扑结构, 所以易于控制,主要特点是它方便双向大功率流控制,并且可以以合理的效率下实现高功率因数,在一些双向功率控制应用中应用广泛。
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由于该拓扑是两电平拓扑,也就是说对于一个功率MOSFET来说,它的两端电压只有两种电平,或者是输出电压Vout,或者是0电压,因此它在应用上需要相对高压阻断开关,可以阻断整个直流链路的电压。( w- P4 \- }1 {1 s  F3 w
例如,在 800V直流母线电压的应用下,需要1200V 额定阻断能力的开关 (SiC
+ h2 m# x1 P1 g; _) h/ qMOSFET)放在功率级,因为开关损耗与工作电压有关,如果工作电压增加,功率损耗,包括开关损耗和导通损耗也会增加,导致温升增加,并且会影响功率级中使用的半导体和无源器件的长期可靠性
; F" k, P5 u" R$ R0 X6 L,是这种拓扑结构的缺点之一。; N+ e& g6 y5 i
另一个缺点是电路所需的滤波电感体积庞大 ,用它调节输入电流的THD 为一个较低的值。因此,三相六开关的功率密度与其它竞争力强的多电平 PFC 相比,比较低,例如比三相维也纳PFC低。0 G  v' A* e( d: {- E3 L

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三相维也纳PFC整流器,如图7, 于1993 年在维也纳技术大学开发,用于避免在单向整流中发生低频电源电流谐波,仅通过在进入三相二极管电桥的每个相桥臂上,插入可关断功率半导体开关。' x  U. U# u& g" h* t
三相维也纳PFC整流器电源拓扑用于大功率、
  b7 ^  a" Q3 }" I2 [3 ~三相功率因数校正应用。因其在CCM模式中运行而广受欢迎 ,源于它固有的多电平开关 (三电平)拓扑,同时也是由于功率开关(MOSFET)阻断电压的选择比较低 ,由于开关串接在相电感和输出电压中点之间,实际上它只需要阻断一半的输出直流母线电压,而不是总输出直流电压。
/ v# i- X2 e8 }) e4 e例如,在一个800V 直流母线电压应用,仅需要阻断能力 600V 额定电压的MOSFET(Si或者SiC),这样使用低压功率器件,它减少了功率损耗,最终减少散热冷却要求,这就增加了功率密度,
! o/ z( e: }! y* n& W对于高功率应用来说比较有优势。此外,它大约需要的相电感仅为两电平BOOST PFC电路电感的一半。除了电压的多电平特征,还提供更好的THD性能。
! N. A# }# U& [3 m8 z* ]$ a这种拓扑结构的唯一缺点是,它仅支持单向模式运行,把来自电网的电力传输到直流输出侧,另外,中点电压的控制复杂度比较高。图 8 所示的三相T型转换器,是一个改进的三相维也纳拓扑,以便获得双向功率传输能力,也是一种两电平PWM 整流器的改进,使其具有三电平特征,以便在逆变模式下减少谐波。9 T: z* U& E) }0 F0 _% T. h7 v
对于 800V 直流母线电压而言,每个相上半桥高边和低边通常采用1200V阻断全电压的 IGBT或者SiC MOSFET来实现。不同的是,串到直流母线中点的双向开关只需阻断一半的直流母线电压即可,因此,它可以用具有较低耐压的功率器件来实现,如两个额定值600V左右的IGBT(包括反并联二极管)或者SiC MOSFET。由于阻断电压降低,中点开关显示出非常低的开关损耗和可接受的导通损耗。* W% R8 z9 I5 M

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+ i7 Z, {* \- y* V( Y总的来说,为了设计一个高功率密度的大功率电源 ,单相拓扑并不是好的选择,因此,必然选择的是三相拓扑,并基于上面的讨论,如果PFC整流器不需要提供双向功率流,三相维也纳PFC在效率、功率因数和功率密度方面表现出色,当需要双向功率控制时,如V2G 或V2V,可以通过上述三电平T型拓扑实现。/ Y* t) r( f3 A: n# K

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