SiC 碳化硅MOSFET可以替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN？

杨茜碳化硅

BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!

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BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET系列产品，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性价比，同时**驱动电源和驱动IC解决方案！

为什么BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET可以替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN？

温度对SiC MOSFET输出电流特性的影响小于超结SJ-MOSFET，SiC MOSFET在高温下依然保持较低的导通损耗，而在使用超结SJ-MOSFET需要特别关注RDS(ON)上升对散热的要求。SiC MOSFET的Ciss（输入电容）明显小于SJ-MOSFET，SiC MOSFET的关断延时会明显小。SiC MOSFET的Qg明显小于SJ-MOSFET，这表明SiC MOSFET的驱动能量明显更小，同时可以看到SiC MOSFET的米勒平台更小，而SJ-MOSFET有明显的米勒平台，因此SiC MOSFET更适用于高频率的开关。

相对碳化硅SiC MOSFET的驱动成熟可靠。GaN的驱动电路面临着高频响应、电压应力、热稳定性等挑战。特别是硬开关长时间续流的情况下，GaN的反向电流能力急剧下降，所以不得不选用更大余量的GaN器件，相对成熟且成本持续下降的的SiC MOSFET，GaN器件性价比进一步恶化。

随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。