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CMOS-MEMS单片集成热式流量传感系统的温度补偿技术

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发表于 2025-2-6 08:00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言
' P" w, R2 D4 w8 O4 O# c5 w5 v流量传感技术在工业监测和医疗诊断等多个领域有广泛应用。随着精确流量测量需求的增加,特别是在健康危机期间的呼吸监测等应用中,高精度且具有温度补偿功能的流量传感器变得格外重要。本文引用最新论文探讨了具有集成温度补偿功能的CMOS-MEMS单片集成热式流量传感系统芯片(SoC)的设计和实现方法[1]。! n7 g# ^7 }! `! y" z7 }

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1 Q$ W" K5 S) t) K系统架构与基本原理
/ m$ L$ D2 E5 |& S. w该流量传感系统的核心创新在于MEMS传感器与CMOS线路的单片集成。系统采用P+多晶硅层工艺制造,由中央加热器和对称分布的热敏电阻组成。这种集成方式显着提高了信噪比,同时优化了芯片面积利用率,降低了整体开发成本。" P/ {' u* u" @/ F

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+ Z. |7 ^1 ?4 E' a* a' A图1:(a) MEMS热式流量传感器的三维结构视图 (b) 展示VTD控制线路和惠斯通桥读出线路集成的系统级模型# m) P5 [& I5 n8 O( {( o
, I% D$ a4 x$ }: _+ `- G
传感机制通过围绕中央加热器(Rh)strategically布置的上游和下游热敏电阻对(Ru1, Ru2, Rd1和Rd2)实现。当气体流经传感器时,在上游和下游热敏电阻之间产生温度差。该温度差通过精密的读出线路转换为电信号。系统采用SMIC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺制造,集成了可变温度差(VTD)控制线路和低噪声电流反馈仪表放大器(CFIA)读出线路。
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, o  v" M0 I+ F2
3 p4 k0 v* x3 K4 H温度补偿策略
5 n; `$ C3 h# A温度漂移是流量传感系统面临的主要挑战之一,在不同工作条件下可能影响测量精度。系统采用创新的可变温度差(VTD)控制线路来解决这一问题。VTD线路采用负反馈环路工作,其中惠斯通桥中的电阻比R1/R2和(Rr + Rc)/Rh配置为k = 5:1。7 @2 S: Q1 U# ?2 E2 P

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% A3 t3 Y8 V6 }0 r/ R6 l9 |
图2:显示在不同环境温度下流量传感SoC的(a)过热温度ΔTh和(b)系统输出Vout的仿真结果,说明了温度补偿的必要性。
, V# I7 y( v, [/ d& s2 A9 X) _5 W0 b% ]; @6 h" z; X
设计中的运算放大器(OPA)实现了108.6 dB的高增益和62.8°的相位裕度,确保了稳定和精确的反馈。VTD线路可以向加热器提供最大3.1 mW的功率,远超实现50°C过热所需的不到1 mW的典型要求。这种余量确保了在各种流速和环境温度下的稳定工作。
3 y( P; w+ v4 m" P, L8 ?' A
9 y' c' `1 i7 r, S; f; ?32 v9 T: T, w& L; [6 ]
制造工艺与实现* }3 V, x# ?( r5 z
该系统的制造工艺将CMOS技术与专门的MEMS工艺步骤精确结合,实现了完整的集成传感系统。制造流程从标准CMOS工艺开始,随后进行专门的后CMOS工艺以释放MEMS结构。& @; @- t3 a) ~6 t8 ?. F+ R3 q

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4 v: s: N% [" }1 X$ t图3:热式流量传感SoC的逐步制造工艺流程,展示了CMOS和MEMS组件的集成过程。4 t; a* }0 f6 c! l% M. h

+ P: K  W1 @  Y制造顺序包含多个关键步骤,从CMOS芯片的准备开始。随后通过光刻工艺暴露传感器悬浮区域的顶部金属层(M6)。接着进行干法刻蚀去除暴露的顶部金属层,然后用反应离子刻蚀(RIE)将二氧化硅刻蚀至硅基底。制造流程以深度反应离子刻蚀(DRIE)创建垂直沟槽和XeF2等离子刻蚀悬浮传感器结构结束。
: n$ |, C# @) t( z
6 V4 M: w" ~6 j2 T0 }4
9 I) p2 d8 y( N2 j: x0 ?2 ^实验设置与验证4 }6 h7 ]: d' v5 @5 L5 T0 S
实验验证采用了全面的测试设置,用于评估传感器在各种工作条件下的性能。制造的SoC封装在一个定制设计的3D打印流道中,尺寸为65 mm × 12 mm × 2.5 mm(长×宽×高),并嵌入印刷电路板中。
# j) ~: Q) @6 W+ ^

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图4:显示了带有N2气体流动系统的完整测试装置以及温度箱配置,包括系统PCB和测量仪器。: n1 R2 ]) d' i3 E: e

7 M4 \, b" I# u( m! _8 t- S0 a' j! d测试设置使用通过压力减压阀和节流阀控制的氮气(N2)流。整个测试装置置于温度箱(SH-222, ESPEC, Japan)中,以精确控制环境条件。实验结果显示温度稳定性显着提高,补偿系统在0-10 m/s流速范围和0-50°C环境温度范围内的温度漂移从±8.9%降低到±1.6%。8 ~2 i4 x9 H. T, C7 k3 E3 y* M

0 I) g8 o2 U3 u5 X5
: x1 |/ j2 o' ^8 @; \9 D, w性能结果与分析
/ j7 i, D+ s2 |8 L% G系统性能评估在各种工作条件下表现出复杂的行为。在恒温差(CTD)模式下,加热器保持约50°C的相对稳定过热温度。然而,系统输出随环境温度变化显示出明显的变化,在9 m/s时相对于25°C的输出表现出±7.9%的变化。9 B* Q8 J5 a+ f, {2 ?. v

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+ h/ L* T# ?# K; }8 |3 i图5:全面的性能对比,显示了(a)CTD模式温度响应,(b)CTD模式输出电压,(c)VTD模式温度响应,和(d)VTD模式在不同环境温度下的输出电压,证明了温度补偿的有效性。
% c4 @- ?1 ~4 l9 i- y3 \( {; W9 b$ d! u  y$ c
可变温度差(VTD)模式的实现带来了显着改进。补偿策略使用精心选择的补偿电阻Rc,在25°C时电阻值为748.21 Ω,温度系数为3.037 × 10?3 °C?1。这种配置通过将PT100电阻与PT500电阻并联,然后与另一组PT100和PT500电阻串联实现。" k/ W% ?- K0 l5 J# @* [- ^

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: r0 _. C9 h' I% M; u4 v# F5 j总结
. w1 {1 y0 Y4 A/ ~4 Y$ q- `. c2 h该集成系统显示出在医疗应用,特别是呼吸监测等领域的应用优势。单片集成方法减小了系统尺寸,降低了成本。系统的性能特征包括宽工作范围(0-10 m/s),低功耗(
7 O& E2 ^( w' K9 ?+ R& a
7 ^7 x* g" k1 e% V参考文献
; s, `2 N9 x3 f$ x$ g9 j[1] L. Hong, K. Xiao, X. Song, L. Lin and W. Xu, "System-level modeling with temperature compensation for a CMOS-MEMS monolithic calorimetric flow sensing SoC," Microsystems & Nanoengineering, vol. 11, no. 13, pp. 1-11, Jan. 2025, doi: 10.1038/s41378-024-00853-8.
4 [8 h, q' p2 t7 ~$ [  P4 h3 N# _END4 n/ S. X7 R: e$ v8 m
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0 |# o) r! Z( n% u5 b深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。: ^* A6 f! g- S. v7 g4 E; K
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