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RK3588 EVB开发板原理图讲解【五】

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发表于 前天 14:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
RK3588 DDR电源pcb设计
1、VCC_DDR覆铜宽度需满足芯片的电流需求,连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽,路径不能被过孔分割太严重,必须计算有效线宽,确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。

2、VCC_DDR的电源在外围换层时,要尽可能的多打电源过孔(9个以上0.5*0.3mm的过孔),降低换层过孔带来的压降;去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致,否则会**降低电容作用。

3、原理图上靠近RK3588的VCC_DDR电源管脚的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面,电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置,其余的去耦电容尽量靠近RK3588,如下原理图所示。





4、RK3588芯片VCC_DDR的电源管脚,每个管脚需要对应一个过孔,并且顶层走“井”字形,交叉连接,同时建议走线线宽10mil,如图3所示。



图3. VCC_DDR&VDDQ_DDR电源管脚“井”字形链

当LPDDR4x时,链接方式如图4所示:



图4. RK3588芯片LPDDR4x模式VCC_DDR/VCC0V6_DDR的电源管脚走线和过孔

5、VCC_DDR电源在CPU区域线宽不得小于120mil,外围区域宽度不小于200mil,尽量采用覆铜方式,降低走线带来压降(其它信号换层过孔请不要随意放置,必须规则放置,尽量腾出空间走电源,也有利于地层的覆铜)。




6、RK3588 GND 管脚 PCB 设计
RK3588 芯片的 GND 管脚,至少保证每 1.5 个 ball 需要对应一个过孔,尽量每个 Ball 对应一个过孔,
**更优的 SI,PI 条件,以及对散热也有帮助。
RK3588 芯片的相邻层必须是一个完整的 GND 平面,保证主参考地靠近 CPU 的 Ball,用于保证电源
完整性以及加强 PCB 的散热。

RK3588 芯片下方相同网络的 GND Ball 在顶层走“井”字形,交叉连接,建议走线线宽 10mil。


现在把RK3588 DDR的layout部分关键层展现出来看看效果





整板效果
110000.png

RK3588 EVB开发板原理图连载:

RK3588 EVB开发板原理图讲解【一】
RK3588 EVB开发板原理图讲解【二】
RK3588 EVB开发板原理图讲解【三】
RK3588 EVB开发板原理图讲解【四】



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