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多芯片设计与先进封装技术

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发表于 昨天 08:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言) f: v4 b( ]6 ~/ }2 F9 o' h
多芯片封装解决方案正在成为半导体行业的重要发展方向,用于满足现代计算系统对更高性能、更好功率效率和更高带宽的需求。本文将深入探讨多芯片设计的发展、挑战和解决方案,从架构探索到最终验证的完整流程[1]。
8 L3 q6 l, f# Q& c, D& i: ^3 a
% i# B9 {3 n" b" s* `& L- b6 W根据IDTechEx Research 2024年10月的研究数据显示,服务器领域在chiplet市场占据主导地位,市场份额达56.9%,其次是个人电脑市场占25.8%。汽车行业占8.1%,移动电话占7.1%,电信领域(包括5G和物联网应用)占1.9%,其他应用占0.2%。. R1 B6 p  r1 F: C# Q- X  [

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; L' N. \: F4 j# o$ K# n2 v0 V图1:2030年市场细分预测,展示了不同领域chiplet应用的分布情况,服务器领域以56.9%的市场份额占据主导地位。
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1- ]/ @; t9 J3 k) p$ D) B5 q
技术发展驱动力
9 ^5 \6 h/ P8 n7 d) z多芯片封装的需求主要由几个关键因素推动,包括提高带宽、增强性能、改善功率效率、降低延迟和缩短开发周期的需要。随着晶体管数量持续呈指数级增长,传统单芯片解决方案面临越来越多的挑战。从28nm到1.0nm工艺节点,晶体管数量显著增加,促使芯片设计和封装方法需要新的突破。! ~) r5 W9 b, e' I# {, X

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* O, d2 z% e5 l2 q0 o2 Q) @图2:展示了从28nm到1.0nm节点的晶体管数量扩展,以及代表性多芯片封装结构中各组件的集成。2 u$ L! A2 \+ d5 ]/ s+ W

, {* Q/ F$ A3 R6 ~4 ?8 j27 c, f" [, w$ @, F7 T3 Q: T
先进封装技术与集成
, a3 @$ h! Q5 W$ }& w4 A  M" U9 O, P) ~$ o行业已经开发出多种多芯片集成方法,每种方法各有优势和权衡。封装技术主要分为三类:多芯片模块(MCM)晶圆级扇出硅/玻璃中介层解决方案。每种方法在布线密度、走线长度、性能、尺寸和成本方面都有不同的特点。
( m' d# a2 p% p; G1 P& G

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9 l( c; ^% d* ~6 Y图3:详细比较了2.5D先进封装技术,展示了不同集成方法在布线密度、走线长度、性能、尺寸和成本方面的关系。) O( c$ v6 C. x) L) O
( ]& q, Q1 x) V# {% ?
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. Z! [! C3 n/ Y芯片间接口技术' D3 G5 P4 D* |, W! Q3 t
芯片间通信接口技术是多芯片设计中的重要环节。接口技术可以分为并行接口和串行接口,分别用于不同的需求和应用场景。并行接口又细分为存储器和非存储器应用,而串行接口则采用SerDes技术。
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, z/ [2 u/ v; K$ I图4:全面比较了不同芯片间接口技术,包括并行和串行接口的规格和主要特性。& q; P# c/ v6 i- S3 Q' K9 j
8 {) r' W5 w* j( o4 d, J4 }
4
" i2 m) o6 i  J& q6 X( S2 D设计挑战与解决方案
: I: h& D  W; l) {! e多芯片设计在整个设计过程中面临多个复杂挑战。需要解决噪声耦合、供电、热量考虑和机械应力等问题。多个芯片紧密集成需要仔细考虑电源噪声、封装基板噪声、串扰以及堆叠芯片之间的散热问题。% ]2 w- u3 |- I3 C  u' d2 B. [" M

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  k# X5 l; m$ U& N/ O5 Y0 b
图5:展示多芯片设计中的主要挑战,包括热量、功率和机械应力考虑因素。
6 s: S: d9 Y* o# t# J! `  s# h% i2 @
5& i' z$ }) @9 Z# E
实现和分析流程* j' r! e, W9 ?& q# w* g0 b
成功实现多芯片设计需要全面的设计流程,包括架构探索、实现、验证和终验。这个过程包括多个分析和优化阶段,包括芯片抽象创建、凸点图案研究和分析驱动优化。
  @9 p& q: L2 [" w" _8 |

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1 V" p9 x  F# M: Q6 n9 M5 W( r图6:展示多芯片布局规划和原型设计过程,从芯片抽象创建到分析驱动优化的不同阶段。
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6
* x7 x2 z; U  F) N多物理分析和终验& A# g  D) A/ {* c" e: \
多芯片设计中,全面的多物理分析对确保可靠运行非常重要。包括功率完整性分析、信号完整性验证、热分析、电磁耦合评估和机械应力评估。这些分析必须在芯片和封装级别同时进行,以确保整个系统的可靠性。9 W& b" p3 [9 S$ h+ r5 r

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: S4 q+ J) |/ r1 P1 c$ N1 t图7:详细展示了多芯片设计所需的各种多物理分析,包括功率完整性、信号完整性和热量考虑因素。6 a2 W& Z4 }3 z3 D' q

" l! X4 N# O2 C# l/ q# B4 g7
* X& t, }+ L2 q6 l1 p& ]2 H! Y结论2 z% d! f- b* b) D, m& d5 L: C
随着半导体行业不断推进性能和集成度的提升,多芯片设计已经成为满足现代计算需求的基本方法。这些复杂系统的成功实现需要对各种技术有全面的理解,认真考虑设计挑战,并应用复杂的分析和验证技术。随着封装技术和设计方法的持续进步,多芯片集成在半导体设计中的作用将继续增强。! D+ N3 i- i# M! y) T: N7 D

+ ?1 G% J; }, {参考文献6 s# @: i2 ]6 b. U# u& z7 G9 m
[1] R. Horner, "Multi-Die Design from Architecture Exploration to Signoff," presented at the Chiplet Summit, Santa Clara Convention Center, Santa Clara, CA, USA, Jan. 21-23, 2025.  H" U7 O% g0 E
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( T$ a' W# Z& w  P: j6 G8 V欢迎转载, s8 {- J5 [7 w
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- S5 w; C) _- s* P( B$ W% k1 w: j关于我们:" ?: B% ^9 l) {9 h; x: v" ~* F- n
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