引言: z* @' u; ^7 O
毫米波与亚太赫兹应用对半导体集成技术的要求不断提高。本文介绍将Indium Phosphide (InP) Chiplet集成在300毫米射频硅基中介层上的技术发展，展示了经济高效的新一代无线系统解决方案[1]。1 z7 V4 f' z" J* k' Y
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图1：射频硅基中介层架构的横截面图，展示关键层次：低阻硅基底、全地屏蔽层、三层聚合物层(POLY1、POLY2、POLY3)、三层金属层(RDL1、RDL2、UBM)和微凸点。3 @& L$ j5 o2 K* r4 f4 I* S
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$ c+ F4 ^0 _) J& d5 f射频硅基中介层平台4 `0 d' w% Z, k2 r0 k5 I, ]
射频硅基中介层是异构集成的基础。该平台采用三层厚金属重布线层(RDL)，配合旋涂低射频损耗聚合物。平台使用DuPont CYCLOTENE? XP80聚合物层，厚度分别为POLY1(15微米)、POLY2(7微米)和POLY3(7微米)。这种独特组合比传统薄膜聚合物实现方案的损耗降低2-3倍。8 w* }7 d$ F# b6 g
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图2：RDL1和RDL2的晶圆级TRL校准结构(左右)，以及用于表征的不同长度(1000、2000、3000微米)微带线。& _6 Q! y, L: S Q+ v
; ^, n1 U( [7 n/ O( r$ X# d射频硅基中介层的性能表征显示出优异结果。平台在20至170 GHz范围内展现出宽带性能，在140 GHz频率下RDL2和RDL1层的线损耗分别为0.23和0.3 dB/毫米。这些结果与玻璃中介层和印刷电路板等替代方案相当，但实现了更高的集成密度。$ S# o# l+ \4 G9 Q& s8 a5 M7 u
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图3：RDL1和RDL2线路在20-170 GHz频率范围内的反射和传输特性测量结果。
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InP Chiplet与射频硅基中介层的集成代表了异构集成技术的重要进展。Chiplet尺寸为2毫米×1.4毫米，经过精心设计，既能防止芯片破裂又便于操作。5 w( R; e% ^: j( O# ~) p/ |
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图4：安装在射频硅基中介层上的无源(上)和有源(下)InP Chiplet显微照片。% F9 F% r8 x- Q$ P. h/ c( _
$ P. Y! }% W; `InP Chiplet与射频硅基中介层之间的倒装芯片互连采用铜/镍/锡微凸点，节距为40微米。关键尺寸包括15微米的凸点直径和25微米的芯片侧焊盘直径。Assembly过程中，在对射频硅基中介层背面施加短激光脉冲的同时，从上方施加压力。
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图5：无源倒装芯片实验的布局细节，展示中介层顶视图、中介层放大视图和InP芯片顶视图及各种测试结构。( {0 u+ x6 `& z: C) Z+ ]: ^5 h3 R" D2 x
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3 v7 p6 ?+ @ e+ z/ q6 r7 r" z性能分析与结果
4 z5 {* q. T0 Z+ f6 D集成系统展现出卓越的性能特征。InP Chiplet与射频硅基中介层之间的无源倒装芯片互连在140 GHz频率下每次转换仅有0.1 dB的插入损耗，优于使用玻璃中介层的早期实现方案。
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. m& c% `$ c, C5 _图6：无源倒装芯片结构的测量结果，显示反射和传输特性，以及提取的线路和插入损耗。( [1 V, ~3 C k7 R$ q' a
1 U. m1 o4 c& ?& q) c$ N5 S8 X在有源器件方面，成功集成并表征了一个两级InP功率放大器(PA)。该功率放大器实现了116-148 GHz(24%)的小信号3 dB带宽，小信号增益为16.3 dB。大信号测量显示在125-135 GHz频率范围内，P1dB为13-15 dBm，功率附加效率(PAE)为15-28%。
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5 U, q% A7 G+ t. P) o9 l图7：有源倒装芯片集成的实现和测量结果，显示两级差分功率放大器布局、小信号性能和大信号特性。+ Y9 `) M. n7 v) f( h y$ p
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结论* Y1 T( ?7 g" _/ M4 M3 n8 R- z
异构集成方法成功地将高性能InP器件与硅基晶圆级封装相结合，提供了经济高效的毫米波系统解决方案。所展示的结果包括宽带阻抗控制(20-170 GHz)、低传输线损耗(0.23-0.3 dB/毫米)和最小倒装芯片插入损耗(0.1 dB)，在100 GHz以上的射频硅基中介层和InP Chiplet集成领域达到了领先水平。
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参考文献
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