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两起产品事故,让我对TVS产生了敬畏之心

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发表于 7 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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! I& O! p  R$ G( I* X& ]" G% x6 w/ p: v+ h
点击上方名片关注了解更多( f3 D, E0 N6 w5 K6 E

3 Y. h: \- X5 O5 Q7 H, G7 W" C- H; X) V5 i( e5 P6 g0 {# s4 d

/ I" x4 c2 G7 c% L4 a大家好,我是王工。
8 m+ p7 a6 P+ |( u
$ \. X# ^+ l6 e8 R: l- t( _今天在这里跟大家分享一下有关TVS二极管的基础知识。2 O' D  J+ j1 V1 m( G

7 [4 E  A/ R0 B# \, L; ?: t* n011
- p1 e' a0 O' I" Z( x* ?) a6 K因为TVS引起的两起事故
- \- S7 k- j( h8 p7 D6 Y( y3 U在这里,王工给大家分享两起工作中遇到的两个因为TVS引起产品失效的事故。
; c+ \. {: L! D% e5 B$ P# l! D案例1:& B* `0 }+ z( f
整机在打ESD静电的时候,出现通信异常。通过排查,最后定位在如下图左边的通信接口处,右边是咱们的主芯片。
2 U% p# G( T7 E: P2 j7 K9 \

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8 N% ~7 o  \5 X* _之所以产品会被打挂,主要原因是TVS布局未靠近接口处放置,TVS放置位置距离接口比较远,没有起到很好的抗静电作用。
3 _8 ^6 U; \" N3 G2 {2 ^0 O- n/ b. }, d
案例2:
* I8 l0 W) \% B  g整机在做EFT抗干扰测试时,当干扰源从外界注入后,我们希望可以让干扰最大程度通过TVS3或TVS4回到源头,从而避免经过内部隔离芯片影响到我们产品的正常运行。
% i( l8 l& X2 [

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: [! Y; p9 F3 U  w0 C9 N
实际使用时,TVS二极管的选型不合理,导致瞬态功率不够,普通的测试还扛得住,但是EFT就挂掉了,只得换用瞬态功率更高的TVS管。
- E& W& t5 s# \0 h7 g( TTVS二极管体积小,在电路正常工作时通常不发挥作用,因此很容易被忽视。可一旦出现问题,大家才会真正意识到它的重要性,并对其产生敬畏之心。# u/ {, s$ v$ V7 y% a3 }. S
抱着学习的心态,我又梳理了一遍TVS的基础知识在此也分享给大家,希望能让更多人知道它的重要性,少走弯路、少踩坑。
3 q$ N; M/ }2 Y4 p( M4 Y7 b0 e* W# A& `) E: L# x6 T' q

* p$ N5 }+ i7 {0 x) A7 ^021( e7 k8 S6 H- H" B' X6 d" r: P
什么是TVS?
' m' |3 d" X0 p: ?9 w# a* Q为了照顾到大多数人,咱们还是简单讲讲什么是TVS。: S. I8 }4 G; z4 J& [
老规矩,先来看看TVS的定义,简单来讲它是一种保护器件。3 a  S# _3 e" P3 D' ]

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2 w. {; A4 ~+ H* ~6 w3 Z
它是一种电压钳位型浪涌保护元件,设计用于在短时间内吸收大量能量,具有较低的动态电阻和高电流额定值的特点。电路正常时,它不工作,对电路没有影响;
/ S" h8 x* x8 z. {7 G当遇到异常情况,如ESD、雷击、浪涌等瞬态电压时,它会立即站出来,迅速导通到地,将过压钳位到安全值,从而保护咱们板子内部的元器件免受破坏。 ' B5 W: L/ o6 R( l7 p0 ?

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7 \0 I$ w# U$ q, t 图源 | ROHM官网再来看ROHM官网另一张图片,更能它展示出TVS二极管的工作原理。左图显示了正常工作状态下的情况。连接器位于左端,而待保护的IC位于右端。它们通过导线相连,并且在两者之间放置了一个TVS二极管。导线根据应用的不同,可以传输直流电压和模拟或数字信号。通常情况下,由于TVS二极管未发生击穿,因此处于关闭状态。6 g6 g, X/ x1 e5 f) Q; c# }3 y. J6 f

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, o8 R7 j# N2 Y! {5 {& h+ [7 l/ V右图显示了施加浪涌时的操作。如果浪涌电压超过TVS二极管的击穿电压,浪涌电流将通过TVS二极管,大部分电流流向地。随后,TVS二极管箱位电压,保护后续电路中的器件。
5 Y# u* b' S: J; V( {1 r& R% I* Y8 k, u0 |- I0 c& Y
TVS分为单向,双向两种极性,一般咱们交流信号选择双向TVS,直流信号选择单向TVS。
6 b# b. o+ ~4 V) L

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. ]% g3 T. W) d0 c3 O 图源 | ROHM官网
+ K7 `2 e/ t6 N3 aTVS和ZD齐纳二极管的区别注意一下, X- [' V9 n- `! e

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! a4 N- W# E" w) r2 E9 l' {8 ^图源 | ROHM官网虽然 TVS 和ZD都利用了二极管的反向特性,但ZD主要用于恒压应用,因此齐纳电压 (Vz)规定在 5mA 至 40mA 的低电流范围内,电压稳定。对于 TVS ,在突然施加浪涌等过电压时,必须具有击穿电压,它有两个特别重要的电压参数VRWM和VBR。由于过压保护是主要应用,因此将几 A 到几十 A 范围内的大电流列为保护特性的一部分,以保护电路免受过压瞬变的影响。封装分为贴片,插件两种,一般咱们贴片用的多,插件的功率会更大些,主要看实际应用场景。
9 [3 Y" i- V, l

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8 N+ l4 }7 @/ n$ c) ]$ v. C9 t, \5 D

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TVS二极管的应用场景! a! |7 U- G; G, J$ I$ `/ H  z/ x
结合ROHM官网的资料,TVS主要分为以下几个方面的应用场景。
' ^9 Q2 }; ~4 J& f0 v8 L4 \! o8 J
* @4 x, r3 s5 G8 z3 A) w) O静电通过USB、HDMI和其它通常安装在电子设备上的连接器进入。下图为一个USB连接器的例子。由于人体会接触电缆和USB设备,因此容易受到静电的影响。TVS二极管被放置在连接器和集成电路之间,以防止静电放电的进入。
8 }$ }% e$ m# i" ?, ^" [

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1 L  X5 ]  p, q防止ESD通过电子设备的连接器进入# N$ n& x# f/ I1 r* M
8 x% S+ j. _+ F! X

$ V: g) B3 c4 U' I& G% |* g. f2 e! Y2 @
安装在电子设备上的开关和按钮在操作时会接触到人体,静电放电(ESD)可能会损坏集成电路或导致故障。为了防止这种损坏和故障,在开关与待保护设备(此处为集成电路)之间放置TVS二极管,以防止静电放电进入。) B9 c1 ?/ b9 F8 T& \+ M6 y

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; U* q# f6 l% |
4 K( D5 }. o& U
防止通过开关进入ESD以及人体接触的按钮( L, d0 _: b: |2 I' ]1 l: G' e9 S- ]- J
% F4 Y: l8 @' c# Y
4 r3 p. A! \3 F/ |5 {8 l
如果连接设备的网线被带电的人体或物体接触,ESD就会通过网线进入电子设备。下图展示了一个汽车控制器局域网(CAN)的例子。TVS二极管安装在网络电缆与待连接设备的IC之间,以防止ESD进入。
5 a# C( p8 w! X( n3 }( V

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/ d1 L0 n+ ]# F1 U, I/ j7 E
通信网络的ESD防护# N: f( x( b$ V8 v; E: Z
* v- y/ P; [* g5 k( [" `
一般对外接口我们都会加上ESD静电管。' Q1 s1 f9 j; n1 R- D

4 ^$ b' N% s$ }041
) j" [* D, D3 sTVS二极管的主要参数  f+ T! A+ g6 H- G, O. F0 J+ H
当我们进行TVS瞬态抑制二极管选型时,需要确保它能够有效保护电路免受瞬态电压的损害,同时又需要保证TVS二极管自身不会被瞬态电压给打坏了,因为TVS二极管击穿后的失效模式大概率是对地短路,而且TVS二极管大多数是接在电源线上的,这样就会导致我们的电源对地短路,从而整个产品就会失去功能。
+ {1 Z3 ^, E3 M- G咱们来打开一份规格书,以SMBJ5.0A为例,主要参数包括:
! S8 M  F# \4 E% M6 e$ G: UVRWM,VBR,VC,IPP,IR。
2 e' R6 u! d4 \$ v/ P5 v5 ?, A4 k3 b

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, ^% b, @+ B8 o" z) U( L

7 B" D1 \, G: ]" R8 I8 ?截止电压(VRWM)- Y3 D! W7 B  g& F: V$ \; p' [
  • VRWM指的是Reverse Stand-off Voltage的缩写,它表示在TVS不导通状态下的最高电压,TVS负极上的电压不超过该值,TVS一定不会导通,这个值用于确保不影响电路正常工作。
    , d7 H* J% x$ K4 f咱们在选型的时候,VRWM应略高于电路中的工作电压,这个略高于怎么来理解呢?* z" c. m# |6 z8 B4 G4 T) P+ Z
    咱们来举个例子,假设电路的工作电压为VCC=5V
    ; K8 M4 @1 W4 G5 ]) ]9 b/ {0 {+ M, y一般,VRWM应大于等于1.2倍VCC,即6V。
    6 z; B, G# H* B0 R如果环境恶劣或要求高可靠性,避免TVS在正常工作时误触发,可放宽至1.3-1.5倍,即6.5V-7.5V。( ]; ~5 X: m7 y/ p) @1 W

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    * ]7 ^& _9 h* U% b* A$ I7 i' `3 G! J& d
    击穿电压(VBR)+ m$ K$ H1 X: P7 k' S" w
    VBR是breakdown(击穿)电压,指TVS的最大额定电压,超过此电压,TVS会击穿,电流会急剧增加,以保护电路内部元器件。5 `$ [# U& t* f7 h# x
    击穿电压通常应略高于截止电压,但要低于电路中可能出现的最大电压。通常,TVS二极管的VBR范围会在标称值的±10%范围内,因此在选择时要注意其容差范围,以确保电路在过压条件下能够及时保护。

  • / q, ]( A5 i% Z) ]! C[/ol]最大钳位电压(VC)
    0 j$ |. H+ U9 _0 e% E
  • VC是在脉冲峰值电流IPP作用下,TVS两端的最大电压值。在我们选型时,VC必须高于电路的正常工作电压,否则在正常操作期间可能会误触发,同时VC又必须小于后级被保护电路的最大可承受的瞬态安全电压,否则后级被保护电路将损坏。VC越小说明 TVS 的箝位特性越好。

  • ; {. p( ?+ l1 ?% @/ r! R
    [/ol]峰值脉冲电流(IPP)
    " C# T2 p# _: \7 K' J- h
  • IPP是在反向工作时,TVS管允许通过的最大脉冲峰值电流。是指 TVS 按照 IEC61000-4-5:2014 或者 GB/T 17626.5-2019 标准,使其工作在规定的 8/20 微秒或 10/1000 微秒的脉冲波形下,此时 TVS 所允许通过的最大峰值电流。[/ol]# `+ l, F8 g+ t0 ~3 ?

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    / M' L8 K3 u8 C0 s7 s
  • IPP 越大耐电流冲击能力越强,它决定了TVS管在保护电路时能够承受的最大浪涌电流,TVS 通过的电流超过此参数就会烧毁。5 g9 T2 I# t" i" Z& z
    [/ol]
    9 n7 N9 k* p5 {) j+ m5 W- R% r7 Q反向漏电流(IR)
  • IR是在最大反向工作电压施加到TVS上时,TVS管有一个漏电流。这个漏电流的大小会影响TVS管的功耗,性能和电路的稳定性。
  • $ {* O+ O6 t7 ]
    [/ol]ROHM官网指出,当信号波形电压值越接近 VRWM,反向电流 IR 越会增加,所以模拟信号的情况下失真率可能会恶化,所以请务必用实机确认动作情况。
    ' j. r0 X8 Z/ A4 p+ p2 Z9 @& @' m. c5 h

    ( h1 {3 {; z8 r; c- X) f7 Q结电容(IR)结电容即TVS的寄生电容,根据被保护的信号速率,选择合适的结电容。特别是在高速电路中,这个参数要重点关注,结电容过大会影响到信号的完整性。
    # V* L1 \, \4 F
    # ~: O" ?5 P2 @- C5 q0 a. g$ R( k3 }! v3 Y5 ?3 J
    051+ L* S) z! [9 L6 i  W  v% r3 a5 |  l
    TVS二极管设计的注意事项
    5 h/ G; @7 ?$ V, y! ~( z4 O1、TVS在layout布局的时候一定要放在接口处,越近越好。太远了就会失效,就像文章开篇中的例子。& d  D& j! ?  s1 K& r# O& S
    2、温度考虑。如果需要TVS在一个变化的温度工作,由于其反向漏电流ID是随温度升高增加而增大;功耗随TVS结温增加而下降,从+25℃~+175℃,大约线性下降50%与击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。8 W3 u6 W! B# X
    3、对小电流负载的保护。可考虑在电路中增加限流电阻,只要阻值合适,不影响线路的正常工作就行,它会大大减小干扰信号所产生的电流,从而减系统对TVS峰值功率的影响。
    ! s$ c% A1 m1 U, s如果这篇文章对你有帮助,别忘了点赞收藏,并分享给更多需要的人!+ w% t, _( p( R1 L
    9 J. {. Y3 f+ z
    写在最后都说硬件工程师越老越吃香,这句话也告诉我们硬件也是需要积累的,王工从事硬件多年,也会不定期分享技术好文,感兴趣的同学可以加微信,或后台回复“加群”,管理员拉你加入同行技术交流群。7 }1 v( D# u* [1 s* j  u
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