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低损耗铌酸锂波导制造技术

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铌酸锂薄膜技术概述% z  T7 E: _# g* x5 w( a
铌酸锂薄膜(LNOI)已成为现代光电子集成线路的核心材料。由于具有优异的非线性光学特性和强电光效应,使其在量子计算和高速光通信等领域具有广泛应用价值。材料的高折射率对比度使得开发紧凑和高效的光电器件成为现实。相比传统体材料,铌酸锂薄膜具有更强的光场限制能力和更高的光电转换效率[1]。. s0 w& p& U0 t" E

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先进制造工艺3 I7 M9 h" x! Y* y" M: M
制造低损耗铌酸锂薄膜波导涉及多个精密步骤。工艺始于基底制备,采用X切型铌酸锂薄膜,该基底由600纳米厚的铌酸锂层、2微米二氧化硅层和525微米硅衬底层构成。这种多层结构设计确保了良好的光学限制效果和机械稳定性。) F1 r) u6 X( |( K; T5 d

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图1:完整制造工艺展示:(a)初始铬层和光刻胶沉积 (b)光刻胶图形化 (c)铬层反应离子刻蚀 (d)铌酸锂感应耦合等离子体反应离子刻蚀 (e)退火和二氧化硅包覆 (f)光刻胶显影后的扫描电镜图像 (g)铬刻蚀后的聚焦离子束横截面 (h)最终清洗后的扫描电镜图像。
9 d+ r4 Z8 ?  \/ z) ~/ g0 M* W3 ~2 l1 G5 y
首先,通过离子束沉积技术在基底表面沉积120纳米的铬层。这一工艺在Oxford Ionfab 300+ LC设备上进行,确保沉积层的均匀性和附着力。随后涂覆300纳米厚的FEP 171光刻胶层,该厚度经过优化,足以用于转移120纳米铬层的图形。' h1 c& x+ i* V8 b, B( i/ g- m
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图形定义阶段使用Vistec SB350 OS可变形束电子束刻写机,采用多遍写入模式。这种方式不仅提高了剂量均匀性,还有效降低了拼接误差、充电效应和热负荷的影响。曝光后进行显影,形成所需的结构图形。8 R" F2 ?* M: B  b! r. t
& P+ b, d- A, @4 ?7 Z% T; |
接下来使用Sentech SI-591反应离子刻蚀设备将图形转移到铬硬掩模上。通过精确控制刻蚀参数,实现了约100纳米的侧向刻蚀,这一特征在样品设计时需要考虑。最后使用CHF3气体通过感应耦合等离子体反应离子刻蚀技术刻蚀铌酸锂层。& p- b' H1 G) |7 b3 K( s

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波导设计与结构
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图2:(a)跑道型谐振器和波导设计的示意图,显示关键尺寸和组件 (b)制造的直波导和谐振器结构的扫描电镜图像。3 A! V/ O" f% P. q( W
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波导结构设计充分考虑了光学模式限制和传播损耗的平衡。波导和跑道型谐振器的顶部宽度均为1微米,这一尺寸经过优化,可以实现单模传输。铌酸锂层的刻蚀深度为500纳米,确保了良好的模式限制。跑道型谐振器的直波导段长度在100微米到500微米之间可调,弯曲半径设定为100微米以降低弯曲损耗,波导与谐振器之间的耦合间隙精确控制在300纳米,实现最佳的光学耦合效率。
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性能分析与结果
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$ ]3 ^1 y1 b4 d1 y8 n图3:(a)1547-1553纳米范围内谐振器响应的传输谱测量 (b)1548.818纳米处单个谐振的洛伦兹拟合详细视图。7 x% N' x; Y6 q* V  i: w
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性能表征采用边缘耦合方式将光注入波导,通过波导与谐振器之间的耦合区域实现光的相干传输。测量结果显示,品质因数最高达到1.34×106,直波导传播损耗低至2分贝/米,耦合损耗约27分贝/米。在TE和TM模式下均表现出优异的传输特性。9 q% k2 |% b8 k0 y; c

$ \- r3 _5 [2 |通过详细的传输谱测量和洛伦兹拟合分析,研究了不同结构参数对器件性能的影响。结果表明,在1447至1553纳米的波长范围内,TE模式的传播损耗约为5分贝/米,TM模式约为8分贝/米。这种低损耗特性归功于优化的制造工艺和精确的结构控制。
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' h1 J8 r% ]% M5 K. D" f' Y( ?$ _优化技术与挑战& Z7 r1 r, q3 C) E( w* g; M
在制造过程中,侧壁粗糙度控制是实现低损耗的关键。通过优化刻蚀工艺参数,特别是腔室压力和直流偏压,有效控制了再沉积层的形成。在感应耦合等离子体反应离子刻蚀过程中,降低基底电极温度改变了反应动力学,防止残留物吸附在铌酸锂表面。
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0 k9 c" V. [) c; a' k为去除残留物,采用了由硝酸铈铵和高氯酸组成的商用刻蚀混合物清洗样品。随后在50°C下使用由磷酸、硝酸和乙酸组成的刻蚀混合物在超声波浴中处理一小时,有效去除了结构表面的钝化层,获得了光滑的侧壁。
% ?! H, i6 C: C; ~3 n' F/ ^
* a3 @. b- X9 p& w最后在氧气氛围中520°C退火两小时,通过提高铌酸锂的结晶度降低波导损耗。采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积二氧化硅包覆层,改善模场分布并提供保护。2 i/ b6 w, [2 W3 z7 ^1 A! j2 o. ~

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0 M; G* g9 l6 M" a: K5 M结论8 ^: ^1 \( p: `  P7 M
本文展示的制造技术通过精密光刻、优化刻蚀工艺和细致的后处理,实现了传播损耗与文献报道最佳结果相当的铌酸锂薄膜波导。该方法在量子通信、高速光通信等领域具有实际应用价值。- K6 ~+ j! f; R) h% A% ^. n
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参考文献  _" P! }; J8 N7 D: Z. {% L
[1] M. Younesi, T. K?sebier, I. Elmanov, Y.-T. Li, P. Kumar, R. Geiss, T. Siefke, F. Eilenberger, F. Setzpfandt, U. Zeitner, and T. Pertsch, "Fabrication of low-loss lithium niobate on insulator waveguides on the wafer scale [Invited]," Opt. Mater. Express, vol. 15, no. 2, pp. 299-306, Feb. 2025.
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