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Dual Asymmetric N-Channel Power MOSFET
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2 N+ L5 u$ {$ S" u1 H( u( NBVdss Rds(ON) ID
/ c% x- T) b0 p8 O4 \30V 3.2mΩ 50A
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产品特征
& A% m: N4 _4 z" @1、低RDS(on)以最小化传导损耗。
: I E' N" p! f. h2、高功率封装(P PAK 5X6)
4 T& a6 h I0 |: B- l3、无铅无卤素且符合RoHS标准! I( {8 s- \9 a$ ]' I% t$ ?
4、快速开关速度
6 d- U4 \9 S7 Y$ |5、100%雪崩测试过" S' P* A* r/ s; v
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应用领域) g) X+ z6 M+ f2 z3 E4 w
1、服务器板载电源。7 O2 o+ V: L3 k, E5 q! c3 X" I% b( K
2、直流/直流转换器。& [3 {/ v9 j1 ]' U& C
5 `1 l9 k# `1 s0 R( ]- g
3 ?- B% c7 L! o) R9 X. O3 _7 p
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/ w1 D, w8 ^8 J6 }3 C砹德曼全系列供应,如需了解相关资料,欢迎联系咨询。
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