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[文件已评审] 4层STM32F429IG PCB论坛评审报告---20180621-2

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发表于 2018-6-21 16:26:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 凡亿pcb王工 于 2018-6-21 16:31 编辑
2 Y. u. Q4 _7 K$ [* P$ l) c
. J6 x* O( ?4 l9 U* H) {- o您阅读的评审报告自于凡亿PCB QA评审组(www.fany-online.com) # q4 C4 n. D' x
. {6 L8 Q  ~) i5 e+ S& z2 R; ~0 z0 d------------------------------------------------------------------------------------" g. y: q3 d  D) q9 c
' F& X! T+ y' i5 y7 P使用前请您先阅读以下条款:/ `4 A4 X2 J4 l& y! U! + v7 |, l, i' W3 S# v# p+ t- e
2 h- n( a$ _( h9 P/ O1 B! R- F1.评审PCB全程保密不外发,评审之后会进行文件删除,介意者不要发送文档! ) }5 b% l  A  q
4 S, r; K$ h) K0 ?( A- ]) A2.评审报告只是局部截图并添加文字说明,如需更详细的请内容请联系我们评审人员6 _)
* b* c- S+ _  l! }  M' Y3.评审意见仅供参考意见,由此造成的任何相关损失网站概不负责  o% q7 g  S9 1 d1 W3 k$ V7 D- G5 I6 h
------------------------------------------------------------------------------------8 E( e: r2 c; h  _0 r6 W
如果您的PCB需要评审,请以邮件的方式发送给我们,我们一般在1个工作日之内安排评审9 D! B( `*+ V3 k/ J: W6 p' Z# I3 Z$ f' r
邮件格式:PCB公益评审+项目名称
4 L3 W- o2 }2 ]; \邮件地址:pcbqa@fany-eda.com
( `& M1 g2 M( Q+ a8 H任何情况下的走线跟铺铜不可出现锐角& }* N' j) b2 G  D% ]3 P. ]" K
- G$ G) A' o8 d* e1 ^$ `& F
" A% d0 T3 G* Z0 j
1 o& |1 k( D; e7 k

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发表于 2018-6-21 16:42:19 | 显示全部楼层
USB的差分在此处打孔未进入ESD器件便直接出去,ESD器件在此处就没有防静电的作用了
8 M* A. Y; x' B3 K

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发表于 2018-6-21 16:49:03 | 显示全部楼层
等长没有做完。; _: K$ l; S( _# i+ v

, j, }( f! L" r, @% _6 |
- S( s( c: D" I

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发表于 2018-6-21 16:52:12 | 显示全部楼层
I2C需包地处理
: O: a2 Z+ p. W9 ?! `3 N2 k% @& z* ~! R5 ?( u- r! G, G- z

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发表于 2018-6-21 16:53:59 | 显示全部楼层
电源输入端多打地孔。
* Z5 h6 y+ o4 U2 `7 k5 ]3 H3 }4 g( W* t1 r8 R* r) V0 P0 ~( E0 z

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发表于 2018-6-21 16:56:58 | 显示全部楼层
此处USB的差分线处理不当,ESD器件无作用0 S0 O2 g8 S0 r0 E

1 r: ^$ O7 M9 [" N8 [- E) L  l+ Y$ R8 r

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发表于 2018-6-21 16:57:16 | 显示全部楼层
不符合差分走线规则。
. Y* H. o$ x  y" E3 V* c4 }& n, Z+ Z3 U' F( X

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发表于 2018-6-21 17:00:16 | 显示全部楼层
usb差分走线包地处理,或与其他线间隔20mil以上。- @# J+ E$ |% E) Z0 m
' @3 L" Z/ i, [% b$ s# C5 K

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发表于 2018-6-21 17:02:12 | 显示全部楼层
此处走线处理不当,处理示例如下* P: d7 o7 d7 \3 f2 q

; ^1 D1 l* s  H  O& a& c( f+ S4 y  k1 L, Q2 D  g: O4 p

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发表于 2018-6-21 17:02:56 | 显示全部楼层
地平面铜皮与孔之间的间隔不要太大,形成这样的断层,不利于阻抗的连续性。3 A' t; @  s3 ?$ J/ V, ?
! s7 X/ K* F2 l' _+ K

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