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[文件已评审] 4层STM32F429IG PCB论坛评审报告---20180621-2

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发表于 2018-6-21 16:26:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 凡亿pcb王工 于 2018-6-21 16:31 编辑 $ f0 p' p! L2 E0 ~6 w, `- `$ u: U

7 w  t$ a' Z- e7 N& B/ k  y9 r% H( \您阅读的评审报告自于凡亿PCB QA评审组(www.fany-online.com) # q4 C4 n. D' x
. U$ \6 ?% M8 O  o. A. _9 b------------------------------------------------------------------------------------" g. y: q3 d  D) q9 c) `* C$ h* O  q5 w( F
使用前请您先阅读以下条款:/ `4 A4 X2 J4 l& y! U! + v7 |, l, i' W3 S# v# p+ t- e
. u* Z" J  }" c* P( ]1 U# f1.评审PCB全程保密不外发,评审之后会进行文件删除,介意者不要发送文档! ) }5 b% l  A  q  x, ?/ l3 m  ?1 }# z
2.评审报告只是局部截图并添加文字说明,如需更详细的请内容请联系我们评审人员6 _) 0 l+ K2 v5 H* l3 p$ n# @6 u) P
3.评审意见仅供参考意见,由此造成的任何相关损失网站概不负责  o% q7 g  S9 # {! q& Z; Q& ^2 ~1 q. g
------------------------------------------------------------------------------------
' o  P9 I- C" z% k6 E如果您的PCB需要评审,请以邮件的方式发送给我们,我们一般在1个工作日之内安排评审9 D! B( `*
, T1 d. k; X5 \; E  ?) c* r邮件格式:PCB公益评审+项目名称- ^" v4 [: b  e$ E
邮件地址:pcbqa@fany-eda.com
7 {2 |" D4 ^. q2 K4 o1 o0 D任何情况下的走线跟铺铜不可出现锐角
6 k3 C$ G; R2 l3 P; A: @( Z) u# T2 q0 u, N: h4 s

* Q7 G; l! t0 F/ w* o5 ?8 \% E5 @- D% Q$ C! ~

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发表于 2018-6-21 16:42:19 | 显示全部楼层
USB的差分在此处打孔未进入ESD器件便直接出去,ESD器件在此处就没有防静电的作用了- y- q. h& _* z% b+ A

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发表于 2018-6-21 16:49:03 | 显示全部楼层
等长没有做完。3 ?; L( t) J! \& w. E- x, N8 ~! i
7 j) ^* ~$ i# C& M; z; n

8 z2 S/ M; B: A4 S2 x/ h

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发表于 2018-6-21 16:52:12 | 显示全部楼层
I2C需包地处理! t; G+ C1 F( _! D0 f
/ P) u. L* z- P. T. v

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发表于 2018-6-21 16:53:59 | 显示全部楼层
电源输入端多打地孔。8 S) R- y9 X" s. m* E( s! A2 y
2 |5 m5 S, L! K  X2 X1 b# m& N

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发表于 2018-6-21 16:56:58 | 显示全部楼层
此处USB的差分线处理不当,ESD器件无作用
3 ?8 V9 _7 |+ L3 b" q) c. `! f

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发表于 2018-6-21 16:57:16 | 显示全部楼层
不符合差分走线规则。) z" q; U& p) s* w# _
4 g! l4 x4 H! P( V4 c

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发表于 2018-6-21 17:00:16 | 显示全部楼层
usb差分走线包地处理,或与其他线间隔20mil以上。
) I' k3 V& X% M. T/ ~0 N0 F' d$ A
7 _# H) V2 A+ q7 ^4 I' x4 @

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发表于 2018-6-21 17:02:12 | 显示全部楼层
此处走线处理不当,处理示例如下
9 l% @0 G4 s; L: F5 l! Q0 ^: l+ U- Z, Y9 t, X
5 _5 @5 ~7 a2 m/ H* j6 G% ]4 s

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发表于 2018-6-21 17:02:56 | 显示全部楼层
地平面铜皮与孔之间的间隔不要太大,形成这样的断层,不利于阻抗的连续性。+ r+ ?) ]# I9 m, b, {

+ m- j* {) @3 a! a2 z# N% k* E

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