晶体管疑问（1）
晶体管疑问（1）1.Good job,蒙健
2.疑问1:书本上说只有VBE是可知的一般为0.7V或者0.3V，VCE=0.3V是工程经验可知吗？书本上Vce还要经过计算。
答:(1)首先我们经常所说的Vbe=0.7V或者Vce=0.3V他是有具体工作使用条件的限定的
(2)我们经常所说的Vbe=0.7V实际上就是发射结作为一个PN其正向导通压降，取决于其具体时间硅二极管还是锗二极管，一般情况下这个参数我们需要根据数据手册来具体获得，但是大部分是比较接近于0.7V目前大部分产品中使用的三极管其发射结的正向导通电压降
(3)我们经常所说的Vce=0.3V指的是其BJT工作于饱和导通的区域时其电压降
(4)教材里面所说的Vce需要计算一般指的是工作于放大区域其Vce会随着具体放大条件不同而不同，从而需要具体进行计算获得相应的关系式
3.疑问2:录播中说功率为1.2*2=2.4W，是因为整个电路的功率都在二极管上吗？按伏安特性为0.85*2=1.7W(1N5401)
答:(1)二极管的导通损耗还是依据与伏安特性进行计算，所以这里是1.7W
4.疑问3：这里应该也是12*2=2.4W？ 如果有其他负载肖特基二极管的功耗才是2*0.55=1.1W？(STPS2L60)
答:（1）我们这里还是要根据具体的伏安特性曲线进行计算
(2)具体如下图中的伏安特性曲线，P功耗=2A*0.6F=1.2W当然还要根据温度等参数再进行具体降额等计算
5.疑问4：正向导通压降1.2V，正向耐压未给出会烧毁吗？肖特基二极管也是比如12V会不会烧毁？
答:（1）会的
(2)一般情况下，12V是不会烧毁的，一般都是30V以上才有可能对于普通的二极管而言
(3)实际上有的厂商的数据手册会提供这个值，一般是Vrms电压的均方根值
6.疑问5：如图电容怎么选型？数值如何确定？类型呢？知道C=Q/V，但是到具体电路中就不知道该怎么样计算，可以用具体的数据说明计算吗？比如上诉图？
答:（1）一般针对于EMI滤波电容，class II类型的MLCC电容就可以满足需求
(2)C=Q/V=△I*△T/V，所以关键还是确定电压的变化和电流的变化，具体根据24V的电源规格里面给出的电压波动和电流波动，周期时间去进行计算
7.疑问6：三节为3.7V的电池为什么认定为12V，3.7*3=11.1V，不一般都是认定为比实际电压小的吗？
还有假设反接的时候导通，VS不是应该等于-1V吗？有个体二极管。
答:（1）不是认定为12V这里只是个标识，一般是和12V的系统兼容，一般这种标识的时候都是11.1V下面的负载主要是开关电源等芯片，而该芯片其输入电压是可以容许一定范围的误差的，所以会这样进行标识
(2)在目前的这种情况下，反接时候体二极管是无法导通的，
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